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講義科目名 半導体デバイス工学 
講義題目
授業科目区分 専攻授業科目又は関連授業科目(major courses or related courses) 
開講年度 2016 
開講学期 前期 
曜日時限 前期 月曜日 3時限
必修選択 学府要項を確認のこと。(refer to the Guidelines for IGSES) 
単位数 2.0 
担当教員

中島 寛

開講学部・学府 総合理工学府 
対象学部等 総合理工学府(IGSES) 
対象学年 修士課程(Master’s Program) 
開講地区 筑紫地区
その他
(自由記述欄)



履修条件
なし 
授業概要
この講義は2つのパートからなる。第1のパートは半導体デバイスを理解するために必要な固体物理を取り扱う。まず、半導体材料の原子構造と基本特性を講義する。次に、半導体のバンド構造を示し、半導体中のフェルミ準位とキャリア密度の計算法を講義する。第2のパートは半導体デバイスを取り扱う。、pn接合、金属/半導体コンタクト、バイポーラトランジスタ、金属-酸化膜-半導体(MOS)とMOS電界効果トランジスタについて講義する。これらを通じて、デバイスの基礎動作原理が理解できる。 
This lecture consists of two parts. The first part deals with solid state physics for understanding semiconductor devices. Atomic structure and basic properties of semiconductor materials are lectured. Next, the band structure of semiconductor is introduced and the carrier density and Fermi level are lectured for the calculation of electron and hole in semiconductor. The second part deals with semiconductor devices, which are pn junction, metal-semiconductor contact, bipolar transistor, Metal-oxide-semiconductor (MOS), and MOS field-effect transistor. Through this lecture, a student can understand basic principles of semiconductor devices. 
全体の教育目標
半導体デバイスの基礎的知識を習得する。 
個別の教育目標
本講義を学習することで、この分野の論文、学術書が理解できることを目標としている。 
授業計画
①半導体の原子構造、結合状態、結晶構造
②真性半導体と不純物半導体
③バンド理論に必要となる量子力学
④半導体のバンド理論
⑤半導体中のキャリア密度とフェルミ準位
⑥半導体の抵抗率と易動度
⑦pn接合
⑧金属-半導体接合
⑨接合形トランジスター
⑩金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスター
⑪半導体プロセス 
キーワード
半導体デバイス、半導体材料、半導体プロセス、バンド構造 
授業の進め方
資料を配布し、それに従ってOHPを使って講義する。 
テキスト
参考書
S.M.Sze著「Physics of Semiconductor Devices」 
学習相談
月曜14:30〜(講義終了後) 
試験/成績評価の方法等
出席状況、試験を総合的に評価する。 
その他
添付ファイル
更新日付 2016-03-31 11:41:26.538


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